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RAMXEED/銳芯達(dá)半導(dǎo)體(原富士通)

2025年1月,富士通已從富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案株式會社更改為銳芯達(dá)/RAMXEED株式會社,將繼續(xù)注重以高可靠性和獨(dú)創(chuàng)性而深受客戶好評的提案力。

Fujitsu(富士通)是世界領(lǐng)先的面向全球市場提供行業(yè)解決方案的IT綜合服務(wù)供應(yīng)商。Fujitsu(富士通)有大約16萬名員工遍布全球70多個(gè)國家為客戶提供技術(shù)支持服務(wù),F(xiàn)ujitsu(富士通)把世界各地的系統(tǒng)服務(wù)專家、高度可靠的計(jì)算通訊產(chǎn)品和先進(jìn)的微電子技術(shù)結(jié)合起來,帶給客戶更多的附加價(jià)值。富士通集團(tuán)總部設(shè)在東京(東京證券交易所上市代碼:6702),截至2008年3月31日財(cái)政年度結(jié)束時(shí)報(bào)告的合并收益為5.3兆日元(530億美元)。

Fujitsu(富士通)公司于上世紀(jì)70年代進(jìn)入中國,在計(jì)算機(jī)平臺產(chǎn)品、軟件與解決方案、通信、半導(dǎo)體以及高新技術(shù)的研究開發(fā)等領(lǐng)域與中國進(jìn)行合作并取得了豐碩的成果。三十年來,F(xiàn)ujitsu(富士通)在中國的總投資金額超過19億人民幣,共設(shè)47家公司,員工23000多人。除了商業(yè)性的投資經(jīng)營活動(dòng),F(xiàn)ujitsu(富士通)還積極投身于中日兩國的社會、文化交流事業(yè),并在環(huán)境保護(hù)領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)。

FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a "non-volatile" "random access" memory, which uses ferroelectric film as a capacitor for storing data.
(Fujitsu utilizes PZT as ferroelectric material)

Combining the advantages of both ROM and RAM devices, FeRAM can achieve high-speed read/write and also retain data even after the power is turned off.
Following are the advantages of FeRAM:  

?High-speed writing (1/30,000 of E2PROM)

?High endurance (1E10 times)

?Low power consumption (1/400 of E2PROM)

?Non-volatility

?Excellent tamper prevention

Semiconductor memory classification


Memory Types by density and endurance

PZT Crystal Structure

RAMXEED_company_flyer_cn彩頁_02.png

RAMXEED_memory.jpg


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